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电子元器件详细资料 » IC[21376] » IPA65R190E6
型号:IPA65R190E6类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-220-3 整包描述:MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
系列CoolMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)650V
电流_连续漏极(Id)0a025000C20.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C190 毫欧 @ 7.3A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223.5V @ 730µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs73nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1620pF @ 100V
功率_最大34W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 整包
供应商设备封装PG-TO220 整包
包装管件

供应商

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深圳勤思达科技有限公司吴086-0755-83268779
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