型号:IPA65R190E6 | 类别:FET - 单 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:TO-220-3 整包 | 描述:MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 |
系列 | CoolMOS™ |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 20.2A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 190 毫欧 @ 7.3A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 3.5V @ 730µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 73nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1620pF @ 100V |
功率_最大 | 34W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商设备封装 | PG-TO220 整包 |
包装 | 管件 |
供应商
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